O último relatório da Samsung revela que os chips de 2 nm atingiram 60% de rendimento: Ganhos modestos, grandes contratos enquanto enfrenta a TSMC

A Samsung compartilhou os ganhos de desempenho e eficiência de seu processo de fabricação Gate-All-Around (GAA) de 2 nm. Os números são interessantes porque mostram para onde a empresa coreana está indo na corrida da fabricação de semicondutores.

Espera-se que o novo nó chegue com o Exynos 2600que poderá ajudar a Samsung Foundry a obter lucro até 2027.

o GAA de 2 nm proporciona um aumento de desempenho incremental e maior eficiência

Conforme relatado pela Dailian, sediada na Coreia do Sul, a Samsung aumentou o desempenho do GAA de 2 nm em 5% e a eficiência energética em 8%. A empresa também reduziu a área em 5% em comparação com o GAA de 3 nm.

Embora os ganhos possam ser incrementais e inferiores às estimativas anteriores, a redução da área pode trazer benefícios em aplicativos de IA e dispositivos móveis, permitindo chips mais compactos e termicamente eficientes.

Os rendimentos aumentam acentuadamente para a faixa de 50 a 60%

Um dos pontos positivos da última divulgação da Samsung é a melhoria no rendimento dos chips. A empresa está relatando entre 50 e 60% de rendimento para sua produção de 2 nm, um salto significativo em relação às estimativas anteriores de cerca de 30%. Isso deve permitir que a Samsung aumente sua produção de wafer para o Exynos 2600 de cerca de 15.000 unidades por mês.

A Samsung também pode se gabar de ter vários contratos de 2 nm, inclusive com a MicroBT e a Canaan, que estão entre os maiores fabricantes de hardware de mineração de criptomoedas. A Samsung também assinou um contrato de US$ 16,5 bilhões com a Tesla até 2033, demonstrando a capacidade da Samsung para contratos de fornecimento de wafer de longo prazo.

A TSMC mantém a liderança no mercado global de fundição com uma participação de 70,2%, enquanto a Samsung está atrás com 7,3%. No entanto, o último relatório GAA de 2 nm da Samsung mostra sua disposição para lutar pela relevância da fundição.