Huawei se aproxima do nó de classe de 2 nm sem EUV

Há alguns dias, a Huawei exibiu seu primeiro SoC para smartphone da classe de 5 nm fabricado no nó N+3 da SMIC. O Kirin 9030 alimentou a mais nova linha Mate80 da Huawei. Agora, parece que a Huawei está próxima de seu próximo avanço: 2 nm. O pesquisador de semicondutores Dr. Frederick Chen descobriu a patente da Huawei da Huawei de 2022, mas a publicou apenas recentemente; ela ainda não foi aprovada.

Ela discute o uso da infraestrutura DUV existente para atingir um passo de metal de 21 nm, o que a tornaria equivalente às ofertas de 2 nm da TSMC e outras. Em circunstâncias normais, seriam necessárias várias exposições de um laser DUV, mas a Huawei descobriu como reduzir isso para quatro por meio do SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).

É compreensível que haja algum ceticismo em relação à viabilidade comercial de tal empreendimento. Para começar, seus rendimentos seriam muito baixos para serem comercialmente viáveis. Mesmo que sejam, não chegarão nem perto das soluções baseadas em EUV.

Um relatório anterior afirmou que a China estava trabalhando em ferramentas EUV nativas e em um nó de 3 nm com semicondutores baseados em nanotubos de carbono. Recentemente, não surgiram muitas informações sobre isso. Mesmo que o projeto seja bem-sucedido, ele não será revelado oficialmente tão cedo devido à abordagem sigilosa da China em relação à sua capacidade de fabricação de chips.