SK Hynix anuncia DRAM de última geração baseada na HBM3

SK Hynix lançou seu mais recente lançamento no memória de alta largura de banda tipicamente com casos de uso exigentes e de alto desempenho, tais como IA, aprendizagem de máquinas, gráficos de ponta e necessidades gerais de datacenter. Apesar de seu nome, HBM3 é contabilizada como a quarta geração de seu padrão, representando uma atualização em HBM2Eo que foi uma melhoria em HBM2 por sua vez

Seu fabricante sul-coreano afirma que fará para os mais poderosos DRAM na Terra em seu lançamento. Isto se deve a sua nova taxa de processamento de dados de 819 gigabytes por segundo (GB/s), ou seja, até 78% mais rápida do que HBM2Ee pode permitir a um usuário transmitir até 163 arquivos de vídeo de 5GB de tamanho cada um em apenas 1 segundo

A SK Hynix também confirmou que irá oferecer sua DRAM HBM3 com 24GB de capacidade, bem como o máximo de 16GB de HBM2E. Este novo tamanho de ponta foi alcançado graças aos mais recentes avanços na produção de chips, pelos quais a altura do chip foi refinada até apenas 30 micrômetros (μm), o que permite à empresa empilhar 12 chips (em oposição a 8 para HBM2E) verticalmente para dar uma única pilha de 24GB

HBM3 por SK Hynix ainda aguarda os dados de disponibilidade e preços. No entanto, seu fabricante projeta que estará em alta demanda entre os compradores envolvidos em supercomputação de todos os tipos quando estiver pronto para embarcar. Seon-yong Cha, vice-presidente executivo de desenvolvimento da DRAM dentro desta empresa, indicou que esta próxima geração da HBM "solidificará nossa liderança em o mercado de memória premium"

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