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Samsung anuncia o primeiro módulo DDR5 de 512 GB da indústria

Os novos módulos DDR5 têm na verdade uma capacidade de 640 GB, mas 8 chips são usados para ECC. (Fonte da imagem: Samsung)
Os novos módulos DDR5 têm na verdade uma capacidade de 640 GB, mas 8 chips são usados para ECC. (Fonte da imagem: Samsung)
Ao empregar tecnologias como TSV e HKHG, a Samsung agora é capaz de aumentar a capacidade do módulo DDR5 para 512 GB. Estes módulos são projetados para centros de dados e são duas vezes mais rápidos do que qualquer solução DDR4 atual. Versões desktop com mais capacidades "down to earth" também devem estar disponíveis no final do ano.

Micron e SK Hynix já anunciaram suas implementações do DDR5 que deverão ser lançadas este ano por integradores como ADATA, Team Group ou Kingston, e agora a Samsung está intervindo com o anúncio de sua própria aquisição do padrão DDR5. Como líder em tecnologia de memória avançada, a Samsung está aumentando a fasquia com os primeiros módulos de memória RAM DDR5 de 512 GB projetados para aplicações de computação com largura de banda intensiva. Esta grande capacidade é possível através do uso de tecnologias como TSV (through-silicon via) e HKMG (High-K Metal Gate).

A Samsung não menciona as freqüências exatas para os novos módulos DDR5 de 512 GB, mas especifica que estes podem fornecer o dobro do desempenho dos módulos DDR4 atuais, atingindo um pico de 7200 Mbps, o que deve melhorar muito as transferências de dados para cargas de trabalho de alta largura de banda em supercomputação, inteligência artificial (IA) e aprendizagem de máquina (ML), bem como aplicações de análise de dados.

O processo HKMG foi implementado pela primeira vez na memória GDDR6 da Samsung em 2018. Este tipo de tecnologia é normalmente usado para matrizes de processador que diminuem de escala mais rapidamente que qualquer outro componente (já a 5 nm agora, enquanto a RAM está em 10 nm). O DDR5 permite maior capacidade de escala, mas as camadas tradicionais de isolamento se tornaram muito finas, levando a uma maior corrente de fuga. Ao substituir o isolador por material HKMG, o DDR5 da Samsung será capaz de reduzir o vazamento e atingir novas alturas de desempenho. Além disso, o material HKMG reduzirá em 13% os requisitos de energia do módulo RAM.

Com a última iteração TSV, a Samsung agora é capaz de empilhar oito camadas de 16 Gb por chip DRAM. Assim, cada um dos chips DRAM vem com uma capacidade de 16 GB, portanto, a capacidade total de 512 GB exigiria 32 chips. Entretanto, as imagens fornecidas pela Samsung mostram que cada módulo realmente integra 40 chips para um total de 640 GB. 8 desses chips DRAM são usados para ECC (código de correção de erros) uma vez que os módulos são projetados principalmente para centros de dados.

 

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Bogdan Solca, 2021-03-26 (Update: 2021-03-26)