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Samsung apresenta o padrão GDDR6W com capacidade dobrada sobre o GDDR6X e largura de banda que quase combina com a HBM2E

GDDR6W die com 512 pinos de E/S (Fonte de imagem: Samsung)
GDDR6W die com 512 pinos de E/S (Fonte de imagem: Samsung)
Graças ao novo processo de produção FOWLP, os matrizes GDDR6W têm o mesmo tamanho que os GDDR6X, mas vêm com capacidade de 32 Gb em vez de 16 Gb e a contagem de pinos de E/S também é duplicada. A largura de banda em nível de sistema pode chegar a 1,4 TB/s com 512 pinos de E/S, enquanto a HBM2E oferece 1,6 TB/s até 4096 pinos, tornando o novo padrão de memória da Samsung consideravelmente mais eficiente.

Samsung anuncia as especificações GDDR6W menos de 2 meses após ter introduzido o GDDR7 especificações. Parece que os produtos que integram os chips VRAM GDDR7 podem demorar um pouco mais para chegar ao mercado, pois a Samsung afirma que a padronização JEDEC para os produtos VRAM GDDR6W já foi concluída no segundo trimestre deste ano, e o gigante sul-coreano está planejando trazer este padrão para notebooks e para o setor de computação de alto desempenho o mais rápido possível. Além de oferecer maior largura de banda mais o dobro da capacidade e pinos de E/S sobre a 24 Gbps GDDR6X chips, o padrão GDDR6W é desenvolvido com o revolucionário design FOWLP (fan-out wafer-level packaging) que permite uma pegada inalterada para que os integradores possam usar o mesmo processo de produção do GDDR6X e reduzir o tempo e os custos de implementação.

A capacidade agora é duplicada de 16 Gb para 32 Gb por matriz, enquanto a quantidade de pinos de E/S duplicou de 32 para 64. Isto não só se traduz em uma redução de 50% de área sobre GDDR6X, mas o FOWLP também reduz a altura da matriz de 1,1 mm para 0,7 mm, eliminando a camada base da PCB e substituindo-a por uma pastilha de silício que integra os próprios chips VRAM.

No que diz respeito à largura de banda bruta, a Samsung diz que a GDDR6W VRAM pode quase igualar o padrão HBM de uma maneira mais eficiente. Enquanto a HBM2E os chips têm uma largura de banda em nível de sistema de 1,6 TB/s com 4096 pinos de E/S e uma taxa de transferência de 3,2 Gbps por pino, o novo padrão GDDR6W oferece 1,4 TB/s de largura de banda com 512 pinos de E/S e uma taxa de 22 Gbps por pino. A redução do número de faixas de E/S em 8 vezes elimina essencialmente a necessidade de uma camada interposer e a torna mais econômica para os integradores de produtos. Para referência, o GDDR6X oferece até 1,1 TB/s de largura de banda, portanto, o GDDR6W seria ~30% mais rápido. Por outro lado, o GDDR7 deve oferecer largura de banda de 1,7 TB/s sobre um barramento de 384 bits.

 

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Design FOWLP (Fonte de imagem: Samsung)
Design FOWLP (Fonte de imagem: Samsung)
Pacote mais fino (Fonte de imagem: Samsung)
Pacote mais fino (Fonte de imagem: Samsung)

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Bogdan Solca, 2022-11-30 (Update: 2022-11-30)