Notebookcheck

Samsung começa a produzir em massa EUV DDR5 DRAM de 14nm

Samsung DDR5 DRAM de 14nm
Samsung 14nm DDR5 DRAM (Fonte de imagem: Samsung)
A Samsung começou a produzir em massa sua DDR5 DRAM de 14nm com a mais moderna tecnologia EUV. O processo EUV de cinco camadas da Samsung permitiu que ela atingisse a maior densidade de bit DDR5 DRAM da indústria com 20% de aumento de produtividade. O DDR5 DRAM também consome até 20% menos energia do que o nó DRAM anterior.
Fawad Murtaza, 🇺🇸 🇫🇷 ...
, , , , , ,
pesquisar relação.
, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
 

A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa do estado-da-arte de 14nm, baseado no EUV DDR5 DRAM. A Samsung também anunciou que a empresa conseguiu aumentar a EUV contagem de camadas até cinco. Isto permitiu que o gigante coreano obtivesse a maior densidade de bit DRAM do mercado, ao mesmo tempo em que melhorou a produtividade das pastilhas em 20%. Além disso, devido ao uso do processo de fabricação de 14nm, os novos chips DRAM DDR5 da Samsung são até 20% mais eficientes em termos de energia em comparação com o nó DRAM da geração anterior da empresa.

De acordo com Jooyoung Lee, vice-presidente sênior da Samsung Electronics e diretor de produtos e tecnologia DRAM, o EUV de várias camadas da Samsung torna possível o DDR5 DRAM de 14nm, um produto que não estava nos cartões com o processo tradicional de fluoreto de argônio (ArF)

A DRAM DDR5 DRAM recentemente desenvolvida pela Samsung funcionará a velocidades próximas de 7,2 gigabits por segundo (Gbps), quase o dobro do DDR4 velocidades. Isto proporcionará um aumento significativo de velocidade para aplicações de servidor e cargas de trabalho de IA. A Samsung também está procurando aumentar a densidade de bits de suas ofertas DDR5 de 14nm para 24Gb nos próximos anos, cimentando ainda mais a empresa como fabricante de semicondutores no espaço AI e 5G.

Comprar Corsair Vengeance LPX 16GB DDR4 DRAM

Fonte(s)

Fawad Murtaza
Editor of the original article: Fawad Murtaza - Tech Writer - 4 articles published on Notebookcheck since 2021
contact me via: LinkedIn
Ninh Duy
Translator: Ninh Duy - Editorial Assistant - 201485 articles published on Notebookcheck since 2008
contact me via: Facebook
Please share our article, every link counts!
> Análises e revisões de portáteis e celulares > Arquivo de notícias 2021 10 > Samsung começa a produzir em massa EUV DDR5 DRAM de 14nm
Fawad Murtaza, 2021-10-13 (Update: 2021-10-13)