A SanDisk fabrica os primeiros chips de memória 3D Matrix — com o objetivo de reduzir para a metade o custo por bit da DRAM

A SanDisk divulgou uma atualização breve, mas significativa, sobre sua tecnologia experimental 3D Matrix Memory, informando que produziu os primeiros chips da nova tecnologia de memória em pastilhas de silício padrão de 300 mm e os embalou para testes adicionais. De acordo com a empresa, os protótipos já são capazes de armazenar vários gigabits de dados, e seu desempenho está se aproximando das especificações planejadas para o produto final.

A 3D Matrix Memory está em desenvolvimento desde 2017 como uma alternativa potencial à DRAM convencional, mas com uma estrutura tridimensional fundamentalmente diferente. A SanDisk afirma que a tecnologia poderá, eventualmente, oferecer desempenho semelhante, ao mesmo tempo em que proporciona até quatro vezes a capacidade da DRAM. A empresa também tem como objetivo reduzir o custo por bit pela metade em comparação com a DRAM tradicional.

Os protótipos mais recentes se baseiam em um protótipo de teste desenvolvido no ano passado em parceria com a Imec, parceira de pesquisa da SanDisk. Desde então, a SanDisk começou a empilhar várias camadas de memória e a fabricar protótipos em wafers de 300 mm. Os chips montados estão agora sendo utilizados para testes adicionais. De acordo com a empresa, os experimentos já demonstraram o funcionamento de matrizes de memória com capacidade de vários gigabits. A SanDisk afirma ainda que o nível de desempenho já está muito próximo das especificações que estabeleceu para um possível produto final.

No entanto, a SanDisk ainda não está pronta para falar sobre um lançamento comercial. O diretor de tecnologia (CTO) da SanDisk, Alper Ilkbahar, observou que a 3D Matrix Memory continua sendo um projeto de longo prazo e que pode levar algum tempo até que a tecnologia chegue ao mercado.

O projeto está avançando, mas é um projeto com um horizonte temporal mais longo. Continuaremos a mantê-los atualizados sobre nosso progresso — Alper Ilkbahar.

O roteiro mais recente da SanDisk fornece poucos detalhes sobre o que virá a seguir. Um roteiro anterior havia mostrado planos para amostras de 32 a 64 Gbit, embora nenhum cronograma tivesse sido fornecido para o seu lançamento.

O roteiro mais recente fornece poucos detalhes sobre o que virá a seguir. Um roteiro anterior havia apresentado planos para amostras de 32 a 64 Gbit, embora nenhum cronograma tivesse sido fornecido para o seu lançamento.

Por enquanto, a 3D Matrix Memory continua sendo mais um projeto de pesquisa do que uma substituição realista para a DRAM no futuro próximo. Ainda assim, a capacidade de fabricar protótipos multicamadas em wafers padrão de 300 mm, demonstrar matrizes de memória de vários gigabits e atingir um desempenho próximo às especificações-alvo da empresa representa um avanço significativo no esforço de longa data da SanDisk para desenvolver um novo tipo de memória de alta densidade.

A SanDisk também está trabalhando em outra tecnologia avançada de memória, a High Bandwidth Flash (HBF). Ao contrário da 3D Matrix Memory, a HBF não introduz uma arquitetura de memória inteiramente nova. Em vez disso, ela basicamente empilha chips NAND convencionais para aumentar a largura de banda. Esse projeto está muito mais próximo da comercialização. A SanDisk afirma que o primeiro projeto da HBF já concluiu a fase de tape-out, e espera-se que amostras estejam disponíveis para validação no próximo ano.