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A YMTC e a CXMT estão de olho na colaboração da HBM para impulsionar o impulso da memória de IA da China

Na foto: Chip LPDDR5 da CXMT (Fonte da imagem: CXMT)
Na foto: Chip LPDDR5 da CXMT (Fonte da imagem: CXMT)
Segundo informações, a YMTC está se preparando para entrar no mercado de DRAM por meio de uma parceria com a CXMT, visando à memória de alta largura de banda para aceleradores de IA. A iniciativa poderia unir os principais fabricantes de NAND e DRAM da China, mas os controles de exportação dos EUA e as lacunas tecnológicas ainda representam grandes obstáculos.

A Yangtze Memory Technologies Corp. (YMTC), principal fabricante de flash NAND da China, supostamente planeja entrar no mercado de DRAM. A empresa pretende fazer uma parceria com a ChangXin Memory Technologies (CXMT) para se concentrar em DRAM de alta capacidade com a ChangXin Memory Technologies (CXMT) para se concentrar em memória de alta largura de banda (HBM) para aceleradores de IA. Se a parceria for concretizada, ela unirá as principais empresas de NAND e DRAM da China. A mudança reflete o crescente papel central da HBM no setor.

As mudanças na política dos EUA aumentam a complexidade. A regulamentação de dezembro de 2024 do Bureau of Industry and Security adicionou controles explícitos sobre a HBM e restringiu ainda mais o acesso a ferramentas de fabricação de chips, o que complica o esforço da China para expandir a memória avançada. O licenciamento de fábricas na China também se tornou mais granular; por exemplo, relatórios afirmam que a fábrica da TSMC em Nanjing perdeu o status de fast-track. Como resultado, as regras de exportação agora moldam diretamente o tempo e o escopo de qualquer esforço local de HBM.

As lacunas de capacidade permanecem. A CXMT supostamente produziu o HBM2 e está se movendo rapidamente em direção ao HBM3, com fontes chinesas sugerindo que a produção poderia começar entre 2026 e 2027. Os analistas ainda colocam a CXMT alguns anos atrás dos concorrentes coreanos, embora o progresso esteja se acelerando. A diferença é significativa, mas a China poderia construir um forte suprimento local se a embalagem e a integração melhorassem no mesmo ritmo.

A YMTC traz experiência em colagem híbrida, mas não em DRAM. Sua arquitetura Xtacking usa colagem wafer-to-wafer e recebeu críticas positivas de terceiros. A abordagem é adequada para a HBM à medida que a altura das pilhas aumenta e o gerenciamento de calor se torna importante. Um ecossistema local de empacotamento está tomando forma. A CXMT e a Wuhan Xinxin estão desenvolvendo o empacotamento do HBM, e a Tongfu Microelectronics iniciou a montagem. O empacotamento avançado, que conecta a memória aos processadores, agora está no centro da fabricação do HBM.

Outros relatórios dizem que a YMTC planeja comprar equipamentos para pesquisa e desenvolvimento de DRAM. A empresa pode se unir à CXMT para desenvolver a próxima geração de DRAM para a HBM e para expandir a produção em curto prazo. Os especialistas veem a possível parceria como uma oferta de longo prazo para competir com as empresas sul-coreanas. O acesso limitado a ferramentas e requisitos de qualificação do cliente provavelmente empurrará os primeiros produtos chineses da HBM para os clientes domésticos.

Fonte(s)

DigiTimes (em inglês)

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Nathan Ali, 2025-09- 3 (Update: 2025-09- 3)