As especificações preliminares do DDR7 colocam a velocidade máxima da próxima geração de RAM em 5 vezes a do DDR5 padrão

A Samsung acaba de anunciar https://www.samsung.com/semiconductor/dram/ddr5/ seus módulos DDR5 topo de linha, destinados às exigências das aplicações de servidor de próxima geração até o momento. Os OEM afirmam aproveitar as novas RAM's Norma JEDEC especificações (que envolvem a duplicação do desempenho de (padrão) DDR4 chegar a uma taxa máxima de transferência de dados de 6.400 megatransferências por segundo (MT/s) para produzir um produto final capaz de atingir velocidades de 7.200 megabits por segundo (Mb/s).

No entanto, o gigante sul-coreano está previsto agora ter um roteiro de desenvolvimento que começa com um substituto direto para este novo padrão de ponta, progredindo através de etapas como seu de baixa potência contrapartida para terminar em uma nova "forma final" conhecida como GDDR7

Assim, a primeira etapa desta jornada é (quase inevitavelmente) tornar-se conhecida como DDR6. Está previsto agora oferecer 2x melhorias em muitas especificações DDR5 prevalecentes, sua velocidade de relógio padrão mandada pelo JEDEC, contagem do banco de memória e número de canais de 16 bits incluídos. Assim, este próximo DRAM da Samsung poderá ser capaz de até 12.800MT/s, ter 64 bancos e ser quad-canal por padrão

Além disso, como o DDR5 com overclocking está atualmente programado para ser 8.400MT/sseu sucessor, agora diz-se que não menos do que 17.000MT/s em condições semelhantes. Acredita-se agora que a Samsung também está correndo adiante com o que virá depois disso, com planos não apenas para opções de baixa potência, mas para uma geração GDDR6+ interina

A primeira delas - LPDDR6 - pode não melhorar as atuais especificações projetadas para LPDDR5 (6.400 MT/s, no máximo) ou até LPDDR5X (com potencial para ~8.500MT/s) tanto quanto oferecer eficiência energética avançada.

Não se sabe muito sobre GDDR6+ com certeza neste ponto, embora se espere que os usuários tenham ganhos similares como padrão à faixa de 24.000 MT/s, com base em um próximo "1z-nanômetro" (nm; presumivelmente uma progressão a partir do EUV de 10nm da Samsung https://www.samsung.com/semiconductor/dram/ddr5/ método de produção) até chegar a GDDR7, a última grande atualização.

Essa geração está agora supostamente destinada a velocidades de até 32.000MT/s. Também é projetado para incorporar algo chamado "recurso de proteção contra erros em tempo real", enquanto o DDR5 da Samsung ostenta tecnologia "on-die error-correction"

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