Há rumores de que a Samsung e a SK Hynix aumentam o desempenho do acelerador de IA com o advento do padrão HBM4 DRAM

A DRAM HBM ainda é cara em comparação com a solução GDDR que vemos integrada às placas de vídeo para consumidoresmas o preço justifica, em grande parte, os ganhos de desempenho. É por isso que, por enquanto, a HBM é fornecida com aceleradores de HPC e IA. É também a razão pela qual as mais recentes placas H100 da Nvidia custam tão caro, já que elas contêm DRAM HMB3E. Fontes sul-coreanas próximas ao DigiTimes afirmam que a situação poderá mudar em breve com a introdução do padrão HBM4, que dobra a largura do barramento de memória em relação à versão anterior.

De acordo com o DigiTimes, o HBM4 será a atualização mais importante na história da DRAM HBM, pois aumentará a largura do barramento de pilha de 1024 bits para 2048 bits. O atual padrão HBM3 apresenta cerca de 9 GT/s por chip, o que leva a uma largura de banda de pico de 1,15 TB/s para todas as pilhas. Se o padrão HBM4 mantiver o mesmo número de stacks, a largura de banda de pico poderá chegar essencialmente a 2,30 TB/s.

Veja o Nvidia H100da Nvidia, por exemplo. Essa placa apresenta seis KGSDs (known good stack dies) HBM3E de 1024 bits, combinados em uma interface de 6144 bits. Devido a preocupações relacionadas à maior dificuldade de fabricar pilhas de memória com mais de 1.024 vias de silício, Samsung e a SK Hynix precisarão provar que podem, de fato, manter o mesmo número de stacks enquanto aumentam a largura do barramento para 2048 bits, apesar das alegações de rendimentos próximos a 100%.

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