Largura de banda vs. IOPS vs. eficiência: Samsung desenvolve três novos tipos de armazenamento NAND para aplicações de IA
Com base em fontes da indústria, a publicação sul-coreana de tecnologia Zdnet relata que a Samsung Electronics está a desenvolver três novos sistemas de armazenamento NAND específicos para determinadas aplicações. Até agora, a Samsung anunciou oficialmente apenas a primeira variante, zNAND-O, mas, segundo a Zdnet, a empresa tem mais dois tipos em desenvolvimento. Estas são as três variantes:
zNAND-O – Eficiência para IA no dispositivo
Este tipo de memória foi especificamente concebido para aplicações locais de IA. Para encurtar os percursos dos dados e melhorar a velocidade e a eficiência energética, os chips NAND são empilhados em quatro ou oito camadas e ligados através de conexões TSV (vias através do silício). Neste caso, o desempenho é um pouco menos importante do que a eficiência, uma vez que as aplicações de IA se destinam a funcionar localmente, consumindo o mínimo de energia possível.
zNAND-T – Largura de banda máxima de dados
Esta variante destina-se sobretudo a centros de dados de IA de alto desempenho, pelo que a memória flash foi concebida para lidar com quantidades particularmente grandes de dados por unidade de tempo. Um termo-chave neste contexto é High Bandwidth Flash (HBF). Em última análise, o objetivo é transferir grandes volumes de dados o mais rapidamente possível.
zNAND-I – Taxas excecionalmente elevadas de operações de entrada/saída
Esta variante centra-se em valores de IOPS particularmente elevados, ou seja, operações de entrada/saída por segundo. Isto é especialmente importante para a inferência de IA, em que é necessário processar rapidamente um grande número de acessos a pequenos volumes de dados.
Apenas o zNAND-O foi apresentado publicamente até agora. Os outros dois sistemas não foram oficialmente confirmados e ainda estão nas fases iniciais de desenvolvimento.
Com esta iniciativa, a Samsung está seguindo a estratégia de sua concorrente SK Hynix, que também está desenvolvendo três tipos especializados de NAND. No longo prazo, essa abordagem pode intensificar a concorrência no mercado de armazenamento para IA e ampliar o papel da memória flash NAND para além das aplicações tradicionais em SSDs.
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