Micron anuncia que sua última DRAM "1-alfa" está pronta para ser enviada

Micron, um OEM também responsável pela marca Crucial, estreou uma nova tecnologia de processo com a qual pode fabricar seus produtos DRAM do futuro. A empresa a chama de nó 1α para denotar seu status de quarta geração de 10nm, tendo esgotado as denominações 1x, 1y e 1z até hoje.

Este novo processo, portanto, é o mais recente desenvolvimento da Micron em memória que pode ter um meio passo (ou 50% da distância entre cada célula por chip DRAM) entre 10 e 19 nm. Esta especificação de alta densidade é obtida utilizando a litografia.

A Micron optou por fazer seu mais recente 1α DRAM usando a fotolitografia computacional em vez da técnica ultravioleta extrema (EUV) favorecida por outras empresas como a Samsung, afirmando que esta técnicaainda não estava "pronta para ohorário nobre"

Aparentemente, o alcance de 32nm de comprimento de onda do EUV era muito curto para o método de fotomassagem escolhido pela Micron (pelo qual a luz "grava" os minúsculos padrões que formam os transistores em uma pastilha de silício através de um "modelo" de quartzo), então seus engenheiros de processo optaram pela litografia de 193nm.

Isto, como a empresa afirma, resultou em chips de 8 a 16 gigabit (Gb) chips com um aumento de 40% na densidade em comparação com aqueles do nó 1z anterior, bem como uma melhora geral na eficiência energética e na confiabilidade

Micron afirma que o processo resultará em novos produtos LPDDR5 com o "melhordesempenho LPDRAM da classe" necessário para dispositivos móveis premium. Ele também será aplicado a grande parte do resto de sua próxima linha de produtos, incluindo as soluções LPDDR4 e DDR4 de classe de servidor do OEM.

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