Micron apresenta 1-beta como o nó de produção de DRAM mais avançado do mundo, pronto LPDDR5X-8500 16 Gb de chips de memória

Micron está introduzindo o nó de produção de DRAM mais avançado do mundo chamado 1β (1-beta) e a empresa está pronta para enviar seu mais recente LPDDR5X-8500 amostras de qualificação para selecionar fabricantes de smartphones. 1-beta é o último nó DUV (ultravioleta profundo) da Micron antes de mudar para a litografia EUV (ultravioleta extremo), além de permitir um aumento significativo no desempenho, densidade de bits e eficiência energética, permitindo que os módulos de memória LPDDR5X-8500 ofereçam velocidades máximas de transferência de 8,5 Gbps.

Em comparação com os módulos de memória 1α (1-alfa) nodo de processo introduzido em 2021, o 1-beta melhora a eficiência energética em 15%, enquanto a densidade de bit é aumentada em 35%, uma vez que a capacidade por matriz é agora aumentada para 16 Gb. O novo nó também apresenta um circuito de porta metálica de segundo gênero high-K, o que ajuda a reduzir os requisitos de energia e melhora a vida útil da bateria. Isto também se reflete com o limite de freqüência elevada de até 3200 Mb/s para controles de tensão eDVFSC. Embora a 1-beta ainda esteja usando litografia de 10 nm, o Micron conseguiu refinar e reduzir a estrutura da célula DRAM graças às técnicas avançadas de multi-padrão.

Em 2023, a Micron planeja mover a maior parte de seu portfólio nos novos nós 1-beta, incluindo VRAM para GPUs, memória de alta largura de banda para servidores, assim como armazenamento e outros produtos para os mercados embutido, data center, cliente, industrial e automotivo.

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