Samsung apresenta um roteiro atualizado para seus próximos nós de produção de 3 nm e 2 nm

Em seu 5º evento anual do Fórum de Fundição, a Samsung divulgou informações atualizadas sobre a migração para os nós avançados de 3 nm e 2 nm com base na estrutura de transístores Gate-All-Around. A Samsung ainda tem que demonstrar que sua Nós de 5 nm são uma alternativa viável para TSMC's N5 nodos que são utilizados para a produção de Apple's últimos SoCs móveis. À medida que a concorrência entre as duas principais fundições se torna ainda mais agressiva, a Samsung está agora tentando provar sua superioridade, pressionando para a adoção da tecnologia GAA uma geração à frente da TSMC, que ainda planeja usar a venerável FinFET transistores nos próximos Nós N3.

A Samsung especifica que sua tecnologia GAA é agora conhecida como MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Como o primeiro nó a usar o MBCFET, diz-se que o processo de fabricação de 3 nm da Samsung diminui a área lógica em 35%, enquanto melhora o desempenho em 30% e também reduz os requisitos de energia em 50% em comparação com o atual nó de 5 nm. Além disso, a maturidade do processo foi melhorada, já que o nó de 3 nm já está se aproximando de níveis de rendimento lógico semelhantes aos do nó intermediário Nó de 4 nm que recentemente entrou on-line para produção em massa.

Assim como o nó N3 da TSMC, o processo de 3 nm da Samsung está programado para começar a produzir projetos de chips de clientes na primeira metade de 2022. Haverá um nó de 3 nm de segunda geração que deverá entrar on-line em 2023, e a Samsung estima que os nós de 2 nm que integram a refinada tecnologia MBCFET deverão estar prontos para a produção em massa até 2025. A TSMC, por outro lado, planeja integrar Transistores GAA pela primeira vez em seus nós N2 que deverão estar on-line em 2024.

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