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Samsung e IBM revelam um novo tipo de transistor para os chips ultra-eficientes do futuro

A Samsung e a IBM apresentam um futuro potencial para a tecnologia. (Fonte: Samsung, IBM)
A Samsung e a IBM apresentam um futuro potencial para a tecnologia. (Fonte: Samsung, IBM)
A Samsung e a IBM vieram à Conferência Internacional de Componentes Eletrônicos IEDM 2021 em andamento para revelar o transistor de efeito de campo de transporte vertical (VTFET). É uma nova propriedade dos potenciais chipsets de próxima geração que, como afirmam os dois OEMs, pode um dia ajudar a construir um smartphone que pode durar até sete dias com uma única carga.

IBM's mais avançado tipo de chip é o resultado de sua tecnologia "nanosheet", que resulta em uma arquitetura ultra-avançada de 2 nanômetros (nm). Agora, a empresa anunciou https://www.ieee-iedm.org/ que tem trabalhado no que pode ser o próximo passo a partir daí com Samsung. É um novo tipo de transistor que poderia permitir uma maior densidade destes componentes por chip em comparação com qualquer coisa disponível atualmente, e, portanto, com potencial para melhorar a eficiência energética ou o desempenho

É o transistor de efeito de campo de transporte vertical (VTFET), que, como o nome indica, foram projetadas para empilhar verticalmente em um chip em vez de horizontalmente como em muitos FET tipos, aqueles incluídos até na parte mais alta de smartphones incluído. Esta adaptação também permite que a corrente atuando sobre tais transistores flua verticalmente também, o que pode permitir que eles se vinguem melhor uso desta energia

Portanto, os chips que incorporam este novo tipo de transistor poderiam oferecer ganhos em eficiência de energia mesmo em comparação com o 3nm processadores em desenvolvimento por outros OEMs. A IBM e a Samsung também afirmam agora que o uso de VTFETs também pode desbloquear uma maior eficiência na criptografia

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Deirdre O'Donnell, 2021-12-14 (Update: 2021-12-14)