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Não interprete o plano da SK hynix de investir 54,3 trilhões de won em uma fábrica como um alívio nos preços da memória RAM

Representação da SK hynix do Cluster de Semicondutores de Yongin, na foto.
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Representação da SK hynix do Cluster de Semicondutores de Yongin, na foto.
A SK hynix aprovou 54,3 trilhões de won para novas fábricas de DRAM e NAND em 7 de agosto. As primeiras salas limpas serão inauguradas em dezembro de 2028 e junho de 2029, e a empresa afirma que instalará equipamentos apenas conforme a demanda exigir — não se trata de uma solução de curto prazo para os preços da RAM.

O conselho da SK hynix aprovou, em 7 de agosto, aproximadamente 54,3 trilhões de won (~US$ 38,6 bilhões) para duas novas fábricas: 35,2 trilhões de won (~US$ 25 bilhões) para Yongin “Y2” e 19,1 trilhões de won (~US$ 13,6 bilhões) para Cheongju “M17”. A Y2 é uma fábrica de DRAM, a M17 uma de NAND, e ambos os valores referem-se apenas à construção; os equipamentos para a Y2 podem chegar a 120 trilhões de won (~US$ 85,2 bilhões), o que pode elevar o total para mais de 150 trilhões de won (~US$ 106,5 bilhões).

Para quem pesquisou recentemente os preços de um kit de 32 GB de DDR5 — cerca de US$ 600 neste mês, contra US$ 100 pelo mesmo kit há pouco tempo —, o instinto natural seria interpretar isso como o fim à vista. No entanto, as datas contam uma história totalmente diferente. A M17 inaugurará sua primeira sala limpa em dezembro de 2028 e a Y2 em junho de 2029, enquanto a Y2 nem mesmo iniciará as obras antes de julho de 2027. A inauguração de uma sala limpa dá início à instalação e qualificação dos equipamentos; não é o início das remessas. O marco muito mais próximo é o Y1, cuja conclusão está prevista para fevereiro de 2027, com a instalação dos equipamentos ocorrendo no segundo trimestre.

Uma frase específica no comunicado da SK hynix é ainda mais relevante do que o número apresentado no título. A gigante dos semicondutores afirma que construirá as fábricas de acordo com o cronograma principal, mas expandirá as salas limpas e instalará os equipamentos de forma sequencial, acompanhando as tendências da demanda, a fim de maximizar a eficiência do capital.

Em outras palavras, a empresa está construindo as instalações antecipadamente e adiando os gastos muito maiores com equipamentos até que a demanda seja confirmada. O Y1 está sendo dividido em seis salas limpas e deve atingir 360.000 wafers de DRAM por mês até o primeiro semestre de 2030.

O mix de produtos também não favorece os consumidores. A Y2 produzirá memória de alta largura de banda e outras DRAMs de próxima geração, e foi justamente a alocação para HBM que, desde o início, tirou a DDR5 comum das fábricas. Atualmente, a SK hynix destina cerca de 30% de sua capacidade de wafers de DRAM à HBM, e analistas esperam que essa participação se aproxime de 40% até 2027.

A própria visão da SK hynix é a informação mais clara aqui. A empresa se refere a isso como uma “transformação estrutural” e não como um superciclo temporário. Ela citou as projeções da Omdia de um crescimento anual de 19% para DRAM e NAND até 2030. O que isso significa é que a fornecedora está tratando os preços atuais como referência e se planejando de acordo com isso.

Fonte(s)

SK hynix Newsroom, Trendforce (1) (2)

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Anubhav Sharma, 2026-08- 8 (Update: 2026-08- 8)