SK hynix supostamente funde DRAM e NAND em um pacote unificado de armazenamento de alta largura de banda para aumentar o desempenho de IA no dispositivo

A SK hynix supostamente alcançou um marco importante com uma inovação que pode mudar a forma como os dispositivos móveis lidam com IA. A nova arquitetura híbrida da empresa, High-Bandwidth Storage (HBS), mescla DRAM e NAND, permitindo velocidades de dados mais altas, menor latência e maior eficiência energética.

De acordo com a ETNews, a SK hynix espera que sua nova tecnologia aumente o desempenho de IA dos smartphones.

Memória de última geração para dispositivos móveis alimentados por IA

A parte principal da mais recente inovação da SK hynix é a tecnologia Vertical Wire Fan-Out (VFO). A VFO é um método que permite que até 16 camadas de DRAM e NAND sejam empilhadas verticalmente enquanto são conectadas em uma linha reta. Com esse processo, a SK hynix pode reduzir a perda de sinal e a distância de transmissão porque não há necessidade da fiação curva comum nos pacotes tradicionais.

O resultado é um pacote HBS com um tempo de processamento de dados mais curto e maior eficiência. Isso traz melhorias na largura de banda para dispositivos móveis, de forma semelhante a como a memória de alta largura de banda (HBM) aumentou o desempenho em GPUs e servidores de IA.

Menor, mais rápido e mais frio

De acordo com a SK hynix, seu novo processo VFO reduz os requisitos de fiação em 4,6 vezes. Ele reduz o consumo de energia em 5% e melhora a dissipação de calor em 1,4%. A empresa sul-coreana também reduziu a altura da embalagem em 27%, permitindo que os dispositivos móveis sejam ainda mais finos e operem em temperaturas mais baixas.

A SK hynix também está economizando nos custos de produção porque o HBS não requer a fabricação de TSV (Through-Silicon Via), que conecta verticalmente os chips empilhados por meio da perfuração e do preenchimento de orifícios microscópicos nos wafers de silício, ao contrário do HBM. Além disso, isso ajuda a aumentar o rendimento, o que é crucial para a produção em escala.

Trazendo o desempenho da IA para os chips móveis

Quando emparelhado com o processador de aplicativos (AP), o módulo HBS da SK hynix permitirá que smartphones e tablets lidem melhor com cargas de trabalho de IA. A empresa já usou o empacotamento de DRAM baseado em VFO no Apple's Vision Pro.