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A SK Hynix monta a primeira ferramenta de litografia EUV de alto nível de AN para produção em massa na fábrica M16

Na foto: Memória flash QLC NAND da SK Hynix (Fonte da imagem: SK Hynix)
Na foto: Memória flash QLC NAND da SK Hynix (Fonte da imagem: SK Hynix)
A SK Hynix instalou o sistema High-NA EUV da ASML em sua fábrica M16 na Coreia do Sul, a primeira ferramenta desse tipo montada para produção em massa. O avanço possibilita recursos menores, DRAM de maior densidade e fortalece a vantagem da empresa sobre a Samsung e a Micron na memória de última geração.

A SK Hynix anunciou anunciou que a empresa montou o primeiro sistema de litografia EUV de alto reconhecimento nacional para produção em massa em sua fábrica M16 em Icheon, Coreia do Sul. Executivos de P&D e Manufatura da SK Hynix, bem como o líder de clientes da SK Hynix da ASML, comemoraram o marco em um evento no local. O objetivo desse sistema é acelerar o desenvolvimento e o fornecimento de DRAM de última geração, ao mesmo tempo em que fortalece a liderança doméstica em memória de IA e melhora a estabilidade da cadeia de suprimentos por meio de uma estreita colaboração entre parceiros. Esse marco marca o salto da SK Hynix à frente de outros rivais que ainda dependem do Low-NA EUV.

O sistema ASML TWINSCAN EXE:5200B oferece cerca de 40% mais NA (abertura numérica) do que sua contraparte Low-NA, o que permite recursos que são 1,7 vezes menores com aproximadamente 2,9 vezes mais densidade de transistor em uma única exposição. A máquina pode alcançar uma resolução substancial de 8 nm, o que representa uma melhoria significativa em relação à resolução atual de 13 nm alcançada pelos sistemas de baixa NA. A ASML considera esse marco como "a abertura de um novo capítulo".

Inicialmente, a SK Hynix planeja prototipar rapidamente novas estruturas DRAM, incluindo trincheiras de capacitores, linhas de bits e linhas de palavras, para acelerar o desenvolvimento do nó. A empresa também planeja simplificar os fluxos de processo EUV existentes para melhorar a competitividade de custos à medida que o desenvolvimento amadurece.

Espera-se que as DRAMs do futuro façam a transição para o EUV de alto NNA (por volta da década de 2030); portanto, essa ferramenta deriva esse caminho com antecedência. A SK Hynix expandiu sua pegada EUV em DRAM desde 2021, e esse marco representa o próximo passo para sua produção de DRAM de última geração.

O fato de ser uma das primeiras empresas a montar sistemas EUV de alto nível de DNA em um local de produção em massa coloca a SK Hynix à frente da Micron e da Samsung, dando-lhe uma vantagem competitiva no mercado. A ASML já havia montado sistemas High-NA de pré-produção (sua série NXE:5000) na fábrica D1X da Intel, mas a instalação da SK Hynix marca a primeira montagem do novo sistema EXE:5200B em uma fábrica cliente voltada para a produção em volume.

Fonte(s)

SK Hynix (em inglês)

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Nathan Ali, 2025-09- 4 (Update: 2025-09- 4)