Samsung quebra a barreira dos 16 Gbps com o HBM4E revelado na GTC 2026
A Samsung usou o Nvidia GTC 2026 para visualizar seu roteiro de memória de IA da próxima etapa, com o HBM4E fazendo sua primeira aparição no show ao lado do HBM4 recém-comercializado da empresa. A empresa disse que o HBM4 está agora em produção em massa para a plataforma Nvidia Vera Rubin, enquanto o HBM4E está sendo mostrado como seu sucessor de maior largura de banda para cargas de trabalho de datacenter de próxima geração.
A Samsung coloca o HBM4 e o HBM4E no centro de sua mensagem na GTC
No centro do estande da Samsung na GTC 2026 está o HBM4, que a empresa disse estar agora em produção em massa e projetado para a plataforma Vera Rubin da Nvidia. A Samsung disse que a memória oferece uma velocidade de processamento padrão de 11,7 Gbps, acima da linha de base do setor de 8 Gbps citada pela empresa, e pode ser aumentada para 13 Gbps.
O HBM4E mais recente é a maior revelação voltada para o futuro. A Samsung disse que está exibindo a peça pela primeira vez na GTC 2026, com metas de desempenho de 16 Gbps por pino e 4,0 TB/s de largura de banda. A empresa também está mostrando a tecnologia de ligação de cobre híbrido, que, segundo ela, permitirá que as futuras pilhas de HBM atinjam 16 camadas ou mais, reduzindo a resistência ao calor em mais de 20% em comparação com a ligação de compressão térmica.
O anúncio também amplia o campo de infraestrutura da Samsung para a Nvidia
A Samsung está usando o anúncio da memória para se posicionar como um fornecedor mais amplo para a infraestrutura de IA centrada na Nvidia, em vez de apenas um fornecedor de HBM. Na seção separada focada na Nvidia de seu estande, a Samsung disse que também está destacando a memória de servidor SOCAMM2 e o armazenamento SSD PM1763 projetado para sistemas de IA da Nvidia, enquanto o SSD PM1753 está sendo mostrado como parte da arquitetura de referência BlueField-4 STX da Nvidia para infraestrutura de armazenamento acelerado em Vera Rubin.
A Samsung disse que o SOCAMM2 já está em produção em massa e o descreveu como um módulo de memória de servidor baseado em DRAM de baixa potência voltado para a infraestrutura de IA de próxima geração. Para armazenamento, a empresa disse que o PM1763 usa PCIe 6.0 para transferências mais rápidas e capacidades mais altas, enquanto o PM1753 está sendo lançado em torno da eficiência energética e do desempenho do sistema para cargas de trabalho de inferência.
A Samsung vincula o lançamento à fábrica de IA e às ambições locais de IA
Além da memória do data center, a Samsung também está usando o GTC 2026 para destacar como suas operações de semicondutores e fabricação se conectam à pilha de software de IA da Nvidia. A empresa disse que planeja usar a computação acelerada da Nvidia e as bibliotecas Omniverse para dimensionar seus esforços de AI Factory e acelerar a fabricação baseada em gêmeos digitais em suas operações de memória, lógica, fundição e embalagem avançada.
A Samsung também usou o anúncio para falar sobre o hardware de IA local. Na GTC, a empresa disse que está apresentando o PM9E3 e o PM9E1 NAND para o Nvidia DGX Spark, juntamente com a memória LPDDR5X e LPDDR6 para dispositivos móveis premium e dispositivos de IA de ponta. A Samsung disse que a LPDDR5X pode atingir até 25 Gbps por pino com um consumo de energia até 15% menor, enquanto a LPDDR6 tem como objetivo 30 a 35 Gbps por pino com recursos adicionais de gerenciamento de energia para futuras cargas de trabalho de IA de ponta.
