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A Intel poderá em breve finalizar seu acordo com a TSMC para suas peças de 3nm

Diz-se que a TSMC e a Intel estão em negociações para a capacidade de 3nm da primeira
Diz-se que a TSMC e a Intel estão em negociações para a capacidade de 3nm do primeiro (imagem via Digitimes)
Um novo relatório da Digitimes nos diz que a Intel e a TSMC estão próximas de negociar um acordo para a capacidade de 3nm desta última. A produção piloto para o nó já começou, e espera-se que produza 40.000 wafers por mês a partir do H2, 2022

Múltiplos fontes do setor afirmaram, em muitas ocasiões, que a Intel buscaria a ajuda da TSMC para fabricar algumas de suas peças de 3nm. Entretanto, quais componentes utilizarão o nó de ponta ainda é envolto em mistério. Sabemos que o próximo Arc Xe-HPG DG2 GPU será fabricado em Processo de 6nm da TSMC. Portanto, podemos razoavelmente assumir que seu sucessor poderia usar o nó de 3nm junto com os componentes para Lago de Meteoros, Ponte Vecchioe outros. Agora, um novo relatório de Digitimes nos diz que o acordo da Intel e da TSMC está em fase final de conclusão

Ela também nos diz que a produção piloto para o nó da TSMC já começou. Aprendemos anteriormente que a produção em massa era esperado que desse o pontapé inicial em H2, 2022, pelo menos para peças Intel. Entretanto, Apple conseguiu assegurar a parte de leão da capacidade da TSMC para seu hardware de 2022, de modo que podemos esperar ver o Apple A16 Bionic ser produzido em massa até então. Uma versão melhorada do nó, dublado N3E, será finalizada até 2023, seguida pelo nó N2 de 2nm em 2025

Inicialmente, a saída N3 da TSMC será limitada a 40.000 wafers por mês. Esse número deverá aumentar para 60.000 em H1, 2023. Por enquanto, a Intel e a TSMC parecem ser os dois únicos concorrentes para o processo de fabricação altamente procurado, mas podemos esperar que outros nomes apareçam em breve. A Intel também chamou a atenção para algumas das capacidades de produção de 2nm da TSMC, presumivelmente para complementar sua capacidade de interno 20A processo

Até agora, a TSMC tem mantido o domínio do mercado sobre seu principal concorrente, a Samsung Foundries. Entretanto, isso poderia mudar quando os processos de 3nm de ambas as empresas entrassem na produção em massa. Diz-se que a Samsung está usando o gAAFET mais recente (Transístor de efeito de campo de 3nm) para suas peças de 3nm, enquanto o TSMC está aderindo à tecnologia comprovada do FinFET (transístor de efeito de campo de finalização). Ele poderia dar à Samsung a vantagem necessária para influenciar alguns clientes longe da TSMC

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Anil Ganti, 2021-12- 4 (Update: 2021-12- 4)