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A empresa chinesa CXMT alcança um avanço importante na produção de chips de memória HBM3E

Pilha de chips HBM3E de 12 camadas
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Pilha de chips HBM3E de 12 camadas
Essa conquista tem dois lados: por um lado, a China agora pode esperar reduzir drasticamente a dependência dos chips HBM controlados pelo Ocidente para seus planos de dominar a corrida pela IA; por outro lado, infelizmente, isso pode significar que os preços da DRAM para o consumidor possam continuar altos, já que a capacidade de produção está dedicada principalmente aos chips de memória de IA para centros de dados.

De acordo com uma nova reportagem do The Information, a CXMT, principal fabricante de semicondutores da China, deu oficialmente início à produção experimental da memória HBM3E. Embora essa conquista deixe, tecnicamente, as fundições chinesas cerca de duas gerações atrás de seus rivais sul-coreanos — que já se preparam para a transição para a HBM4E —, ainda assim representa um enorme salto à frente para a cadeia de suprimentos doméstica de chips da China e um marco muito importante nos esforços para reduzir a dependência de tecnologias ocidentais.

Embora a CXMT esteja mantendo em sigilo, por enquanto, as especificações exatas do silício HBM3E, as diretrizes padrão da JEDEC revelam um panorama claro do que se pode esperar em termos de desempenho. Estamos diante de uma interface de 1.024 bits que atinge velocidades entre 9,2 e 12,4 Gbps por pino, com a maioria das configurações padrão visando o ponto ideal de 9,6 Gbps. Isso se traduz em uma impressionante largura de banda total de 1,2 TB/s, com capacidades de 24 GB (usando pilhas de 8 camadas) ou 36 GB (por meio de pilhas de 12 camadas). No momento, “produção de risco” significa que os rendimentos dos chips são insignificantes, mas a CXMT é conhecida por pular dos testes iniciais diretamente para a produção em massa em um período relativamente curto. Não seria surpresa ver a fabricação em grande volume entrar em operação em questão de semanas.

Esse ritmo agressivo se estende também à sua área física. A CXMT vem construindo às pressas salas limpas para fábricas em apenas 12 meses, cerca de metade do tempo que normalmente leva para o restante da indústria de semicondutores. Atualmente, a empresa opera duas grandes fábricas de 12 polegadas em Hefei e Pequim, produzindo juntas cerca de 200.000 wafers por mês. Até o final deste ano, essas fábricas devem atingir 350.000, com um plano para, eventualmente, triplicar sua produção atual para impressionantes 600.000 wafers por mês, assim que as novas instalações em Xangai e Hefei entrarem em operação.

Contar com uma fonte doméstica de HBM certamente parece excelente para os planos da China de dominar a corrida pela IA, mas e quanto às capacidades de produção de DRAM para o consumidor? A CXMT começou recentemente a fornecer chips DDR5 para módulos de RAM de consumo, o que gerou esperanças de que os preços desse tipo de memória pudessem finalmente sofrer uma tão necessária queda. No entanto, como a Memória de Alta Largura de Banda (HBM) exige o empilhamento de vários chips de DRAM em um único pacote, sua fabricação consome uma quantidade incrível de recursos. Se a demanda por HBM impulsionada pela IA continuar a disparar, a nova e ampla capacidade de produção de wafers da CXMT poderá simplesmente ser engolida pelo boom da memória de alta largura de banda. Assim, os preços da DRAM padrão poderão se estabilizar ou até mesmo continuar a subir, pelo menos até o final do ano corrente.

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Bogdan Solca, 2026-09- 1 (Update: 2026-09- 1)