Qualcomm Snapdragon 855

A plataforma móvel Qualcomm Snapdragon 855 é um SoC sofisticado para smartphones e tablets que a Qualcomm anunciou em dezembro de 2018. O SoC integra um veloz ��Prime Core�� que oferece velocidades de até 2,84 GHz e outros três núcleos de desempenho rápido ARM Cortex-A76, que pode alcançar até 2,42 GHz. Estes são complementados por quatro núcleos ARM Cortex-A55, que economizam energia, com velocidade de no máximo 1,8 GHz. A maior velocidade do ��Prime Core�� deve fornecer um desempenho single core significativamente melhor do que o Snapdragon 845, mas suspeitamos que o Snapdragon 855 fique aquém do Apple A12 Bionic. O novo SoC deve ter desempenho single-core até 45% mais rápido e 35% multi-core do que seu antecessor. A Qualcomm elogia a habilidade do Snapdragon 855�� para manter seu desempenho diante de carga sustentada, superando o SoC Apple A12 Bionic e o HiSilicon Kirin 980.

O SoC também integra o novo modem LTE X24 que a Qualcomm promete que fornecerá velocidade máxima de download de até 2 Gbit/s sobre LTE Cat.20 e velocidades de upload de até 316 Mbit/s. O Snapdragon 855 também pode ser configurado com o novo modem 5G X50 da empresa.

A Qualcomm também aprimorou o modem Wi-Fi integrado, pronto para Wi-Fi 6, com som 8x8 e suporta até Wi-Fi 802.11 ay. O modem Wi-Fi pode utilizar a banda de 60 GHz mmWave para velocidades de até 10 Gbit/s na Internet.

O Hexagon 690 DSP passou por muitas revisões daquilo que a Qualcomm integrou no Snapdragon 855. O novo DSP incorpora uma unidade de processamento neural (NPU) com núcleos Tensor dedicados que podem executar até 7 trilhões de operações por segundo em conjunto com a CPU e a GPU. Em resumo, o Snapdragon 855 deve ser três vezes mais rápido que o Snapdragon 845 e duas vezes mais rápido que o SoC Kirin 980.

O Snapdragon 855 também possui um ISP Spectra 380 a bordo, que é o primeiro chip do mundo em incorporar um Computer Vision Engine (CV-ISP) que pode executar cálculos de profundidade em vídeos de até 60 FPS. O Snapdragon 855 deve oferecer modos de retrato em tempo real ou ser capaz de detectar objetos com consumo de energia relativamente baixo.

O controlador de memória integrado suporta até 16 GB de RAM LPDDR4x (4 x 16 bits). Além disso, o Adreno 640 possui 50% mais unidades de computação (ALUs) do que o Adreno 630, enquanto a Qualcomm alega que deve ser 20% mais rápido que seu antecessor. Atualmente, não sabemos a que velocidade o Adreno 640 funcionará, pois a Qualcomm não anunciou nada durante o anúncio do Snapdragon 855.

A Qualcomm fabricará o Snapdragon 855 na Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) usando um processo FinFET de 7 nm. A mudança para a fabricação de 7 nm deve tornar o SD855 20% mais eficiente que o SD845. A Qualcomm não anunciou oficialmente o TDP (Thermal Design Power) do SD855, mas suspeitamos que o SoC atinja um máximo de 5 W e terá uma média de 3,5 W sob carga.